王阳元，男，1935年1月生，汉，中国共产党党员，浙江宁波人。1958年毕业于北京大学物理系；1958年至今在北京大学工作，1982年至1983年美国加州大学伯克利分校高级访问学者。1995年当选为中国科学院信息技术科学部院士。王阳元现为北京大学信息科学技术学院教授(1985年)、微电子学研究院首席科学家。
王阳元主要从事微电子学领域中新器件、新工艺和新结构电路的研究。二十世纪70年代主持研究成功我国第一块3种类型1024位MOS动态随机存储器,是我国硅栅N沟道MOS技术开拓者之一。80年代提出了多晶硅薄膜"应力增强"氧化模型、工程应用方程和掺杂浓度与迁移率的关系，被国际同行认为"对许多研究者都有重要意义"，"对实践有重要的指导意义"。研究了硅化物薄膜及深亚微米CMOS电路的硅化物／多晶硅复合栅结构；发现磷掺杂对固相外延速率增强效应以及CoSi2栅对器件抗辐照特性的改进作用；90年代在SOI/CMOS器件方面，提出了器件浮体效应模型的工艺设计技术。研究成功了多种新型器件和电路；与合作者一起提出了多晶硅发射极晶体管的新的解析模型，开发了成套的先进工艺技术，对独立自主发展我国集成电路产业有重要意义。90年代后期研究微机电系统（MEMS），任国家重点实验室主任，主持开发了三套具有自主知识产权的MEMS工艺，开发了多种新型器件并向产业转化，获得一批发明专利。近期又致力于研究纳米级集成电路。在任全国ICCAD专家委员会主任和ICCAT专家委员会主任期间，领导研制成功了我国第一个大型集成化的ICCAD系统，使我国进入能自行开发大型ICCAD工具的先进国家行列。为推动我国微电子产业的发展，作为发起人之一，创建中芯国际集成电路制造有限公司，领导建设成功了我国第一条12英寸纳米级集成电路生产线，使我国集成电路大生产技术水平处于国际先进水平。共培养百名硕士、博士和博士后。发表科研论文230多篇，出版著作6部。
王阳元有20项重大科技成果。1978年获全国科学大会奖，1991年获国家教委科技进步一等奖，2003年获何梁何利科技进步奖，2007年获国家科技进步二等奖，等19项国家级和部委级奖励。
王阳元长期担任中国电子学会副理事长，《半导体学报》和《电子学报》（英文版）副主编。信息产业部科技委委员(电子)，美国IEEE Fellow和英国IEE Fellow 等。